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장비
장비 및 시설 기본정보
플라즈마 연소기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Plasma Finish |
| 모델명 | PTP-300 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2008-03-27 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전자통신연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 반도체 및 MEMS(Micro-Electro-Mechanical System) 소자 제조시 실리콘 웨이퍼 위에 코팅된 Photo-Resist 또는 Polyimide를 플라즈마를 이용하여 연소하여 제거하는 장비본체: 알루미늄 쳄버 할로겐 램프 히터 가스공급 장치 마이크로웨이브 발생기 진공펌프 등으로 구성 부속장비: Chiller 시편 크기: 조각~8인치 웨이퍼 기판가열온도: 최대 450 ℃ 공급가스: 질소 산소 아르곤 마이크로웨이브: 2.45GHz 최대 600W조각 또는 wafer에 제조된 반도체 소자에서 구조층 위에 있는 PR ashing Die 형태의 MEMS 소자에서 구조층 아래에 있는 polyimide 희생층 ashing |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110113200940.jpg |
| 장비위치주소 | 대전 유성구 가정동 한국전자통신연구원 161 한국전자통신연구원 4동 1층 112 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-133241 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0021798 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |