| 보유기관명 |
포항공과대학교 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
C509 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
특징 : 약 300도의 온도 및 저압 분위기에서 반응 Gas는 기판 위에서 화학반응을 하여 원자층단위로 증착된다. 이로인해 고품질 High Step Coverage의 박막을 성장시킬 수 있다. 또한 한 층 단위로 공정이 진행되기 때문에 박막의 두께조절이 수월하고 신뢰성이 높다.구성: Process Chamber Stage Heater RF Generator Vacuum Gauge & Controller Gas Delivery System Control PC.
성능: 박막의 두께 균일도 ±3%(1sigma) 이하의 높은 수준의 막질형성.응용 예 : 고품질의 막질을 요구하는 매우 얇고 균일한 Metal Gate용 대면적 박막형성을 위한 Ru Ir TaN 박막 증착 또는 단차가 존재하는 표면에 두께가 Uniform한 금속박막 증착. |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110117143438.jpg |
| 장비위치주소 |
경북 포항시 남구 효자동 산27 포항공과대학교 나노기술집적센터 2층 클린룸 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2011-01-135085 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0022046 |
| 첨부파일 |
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