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반도체 파라미터 측정기

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보유기관명	수원대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드
표준분류명
시설장비 설명	특징 High-resolution/accuracy and wide range I : 1fA to 1A (20fA offset accuracy) V : 1μV to 200V Fully-automated I-V sweep measurements with dc or pulse mode Synchronized stress/measure function two high-voltage pulse generator units (±40V) Time-domain measurement : 60μs-variable intervals 10001 points Control Type : knob-sweep similar to curve tracer automation analysis functions활용분야 반도체 특성을 측정하는 시스템으로서 HP basic 프로그램에 의해서 semiconductor parameter를 측정한다. 반도체 칩은 웨이퍼 위에 트랜지스터 저항 캐패시터 소자 등을 층별로 집적해 나가는 과정이며 보통 5~600개 정도의 공정을 거쳐서 제조된다. 이렇게 제작된 소자에 전류와 전압을 인가하여 I-V curve 등의 parameter를 측정하여 소자의 특성을 측정한다. 또한 stress mode를 사용하여 고전압 인가시에 소자에 나타나는 특성 등을 알 수 있다.
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/itep200710/.thumb/1154354616_1.jpg
장비위치주소	고운첨단센터 606호
NFEC 등록번호	NFEC-2007-10-004875
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0017086
첨부파일