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장비
장비 및 시설 기본정보
집속이온빔시스템
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Hitachi |
| 모델명 | FB-2100 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2009-02-26 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 나노종합기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | A200 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | SB-FIB System 이온빔 구성 FIB System에서 사용되어지는 ion source는 Ga으로 쌓여진 바늘 모양의 tip형태를 하고 있다. 이와 같은 Ga Ion Source를 LMIS 즉 Liquid Metal Ion Source라고 부르는데 이는 수은과 같이 상온에서 쉽게 액상이 되는 Ga의 특성 때문이다. 일반적으로ion source에는 30 ~50kV 의 전압이 인가되며 Ion source와 Extractor 전극 사이의 전위 차이로 인하여 이온화된 후 방출되는데 이것을 ion emission effect라고 한다 * 이온 광학계 - 가속전압 : 10kV ~ 40kV - 최대빔 전류 : 60nA@40kV - 분 해 능 : 6.0nm@40kV - Micro sampling system for in-situ TEM lift-out - 증착Gas : W - Eucentric Auto-stage(2types) Side Entry stage(3types) SEM STEM 장비와 홀더호환 1.이온빔을 이용한 특정영역 가공 및 미세구조 분석 2.단면가공 및 관찰(ion beam) 3.회로수정: 절단 및 연결 4.나노스케일의 패터닝 5.특정영역의 투과전자현미경용 시편제작 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110125110800.jpg |
| 장비위치주소 | 대전 유성구 어은동 대전 유성구 대학로 291 (어은동 53-3) 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 지하1층 구조분석실 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2010-04-079143 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0017683 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |