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장비
장비 및 시설 기본정보
그래핀 성장용 roll to roll 고온 CVD 시스템
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 참트론 |
| 모델명 | CH-R2RCVD |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2014-04-14 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국화학연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C500 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 그래핀 성장용 thermal CVD를 3대 보유 중이나 4“ 튜브에서 공정을 진행함으로서 대면적 그래핀 성장이 어려움. 이에 대면적 고품질 그래핀을 성장하기 위한 장비 구축이 필수적이나 장비 설계 및 신뢰성 문제로 구축이 지연되었음. 장비 제조 업체와의 공동 개발을 통해 롤투롤 CVD를 이용한 그래핀 성장 가능성을 확인하여 구축이 가능할 것으로 판단됨.1. 구성 : 진공 챔버 롤 실린더 및 컨트롤러 히팅 존 가스 주입 포트 시스템 제어 PLC 2. 성능 : 1. 최대 공정온도는 1100℃이상이여야 함. 2. 최대 60mm*10000mm의 Cu foil 위에 mono layer graphene의 연속 성장이 가능하여야 함. 3. 10 시간 연속 공정이 가능하여야 함. 4. Roll speed를 10~15mm/min으로 가변 가능하여야함. 5. 추가 gas line 및 MFC 설치 가능하여야함. 6. 최고 진공도는 1*10-3 torr 이상의 고진공이어야 함. 7. Roll의 탈부착이 용이할 것메탈 호일을 촉매로 이용한 그래핀 시트 및 2D 물질의 연속 성장 R2R CVD로 그래핀을 성장시킬 수 있는 장비는 전 세계에서 최초로 본 기관에 설치하고자 하고 이에 대한 기본적인 실험을 4차년도부터 업체와 공동 연구 및 실험을 통해 장비의 기본 개념과 설계 방향을 확보하였음. 이에 장비 개발에 참여한 연구원(선임연구원 1인 박사과정 ㅂ인 석사과정 1인)들을 통해 장비의 안전한 운영과 고품질 그래핀을 R2R CVD 장비로 성장시킬 수 있는 공정 개발을 지속적으로 연구할 계획임. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201408/.thumb/20140814142238696.bmp |
| 장비위치주소 | 대전광역시 유성구 가정로 141 (장동) 한국화학연구원 1연구동 3층 310 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2014-08-190882 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0045077 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |