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장비
장비 및 시설 기본정보
스퍼터
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 러셀 |
| 모델명 | Endura-5500 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2005-01-01 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 나노종합기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C506 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 고 에너지 입자가 고순도 타겟물질의 고체 판과 충돌하고 물리적으로 원자를 이동하여 기판에 증착시키는 방법으로 캐소드인 타겟의 뒷면에 전자석을 배열하여 자기장을 형성함으로써 금속타겟으로의 아르곤플라스 (Ar+) 이온의 충돌률을 증가시키고 플라즈마에서의 이온화률를 증가시켜 스퍼터링 효율을 높여 주는 방법입니다. 스퍼터링의 기본 6 단계를 살펴보면 첫째포지티브 아르곤 이온들이 고진공의 플라즈마 상태에서 생성되고 네가티브 전위의 타겟물질을 향해서 가속되며. 둘째가속되는 동안 아르곤 이온들은 운동량을 얻어 타겟물질을 때리게 되고 셋째 타겟물질로 부터 물리적으로 원자를 이동시키며 넷째 스퍼터링된 원자들은 기판 표면으로 이동하게 됩니다. - RF Etching - Etch Rate: >350Å/min Etch Uniformity: 600A at 2.5kw Resistivity : 200A at 4kw Resistivity : 350A Bulk Resistivity : 15Å/Kw/sec Resistivity : 2.8~3.2μΩ-㎝ Reflectivity:>190 at 436nm (λ=365㎚REF=Al Mirror) - 180nm Logic 디바이스용 금속증착 - 패키지 제작시 Wire Bonding 평가용 AL 증착 - CMOS 일괄공정의 Metal Interconnection 및 Al Plug공정 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201405/.thumb/20140512163220410.JPG |
| 장비위치주소 | 대전 유성구 어은동 대전 유성구 대학로 291 (어은동 53-3) 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 1층 FAB |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2007-11-047761 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0016483 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |