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장비
장비 및 시설 기본정보
고전류 이온주입장치
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Varian |
| 모델명 | Vision 200 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2009-01-20 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 포항공과대학교 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C511 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 고전류 이온주입장치의 특징은 다음과 같습니다. 반도체제조공정에서 불순물을 Doping시키는 방법 중의 하나로 주입하고자하는 불순물을 이온화시켜 전기장으로 가속하여 기판 속에 주입하는 공정구성및성능 진공도 : < 4.0E-6 Wafer Tilt : ±7 degree Dose Range : 5E11~5E16 ions/cm2 Energy Range :2~200 KeV Available Dopant Species : 11B+ 49BF2+ 75As+ 31P+ 121Sb+활용분야 반도체소자 제조공정 중 고농도의 불순물 Doping이 필요한 공정에 적용 ㆍSource/Drain의 Doping ㆍHalo Lightly Doped Drain(LDD)의 Doping ㆍPoly-Si Gate의 Doping ㆍPoly-Si Resistor의 Doping ㆍPoly to Poly Capacitor의 전극 Poly-Si Doping |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201102/.thumb/20110215101456.jpg |
| 장비위치주소 | 경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 포항공과대학교 나노기술집적센터 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2009-02-071150 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0011773 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |