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플라즈마식각기

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보유기관명	충북테크노파크
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C510
표준분류명
시설장비 설명	[기능] 1. 반도체 소자 및 부분품 분석 2. 불량분석용(Passivation Strip) [사양] 1. Chamber can process Max. 8 inch wafer 2. Reactive ion etching system that can be used to anisotropic ally etch all types of Si films. 3. Programmable 10 recipes with 4 steps for each step controlled with computer[사양] 1. Chamber can process Max. 8 inch wafer 2. Reactive ion etching system that can be used to anisotropic ally etch all types of Si films. 3. Programmable 10 recipes with 4 steps for each step controlled with computer 5. RF /RF Power :13.56MHz /≥ 300W 6. Etching Rate :＞60nm/m 7. Uniformity :＜±5% 8. GAS Supply: CF4,O2,Ar 4. RF /RF Power :13.56MHz /≥ 300W 5. Etching Rate :＞60nm/m 6. Uniformity :＜±5% 7. GAS Supply: CF4O2Ar[용도] 1. 반도체 소자 및 부분품 분석 2. 불량분석용(Passivation Strip) 3. 반도체 delayer를 하기 위한 Oxide Nitride 막을 제거하지 위한 장비
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110110174105.JPG
장비위치주소	충청북도 청주시 청원구 오창읍 연구단지로 76 (재)충북테크노파크 첨단IT산업관(D동) 1층 109
NFEC 등록번호	NFEC-2007-10-005854
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0011996
첨부파일