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장비 및 시설 기본정보
LPCVD ( Low Stress Nitride/LTO)
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | EMERSOM |
| 모델명 | SJF1000T2 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2000-05-02 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국과학기술연구원 마이크로나노팹센터 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C500 |
| 표준분류명 | 기타 |
| 시설장비 설명 | LPCVD의 장점 - wafer, wafer-wafer에서 막두께 및 비저항이 균일 - auto-doping이 적다. - 저온 공정이 가능하다. - 처리량이 많다. - wafer를 수직으로 세워 공정하므로 불순물 오염이 적다. - grain 크기 조절이 용이 - in-situ 도핑이 가능하다. CVD 반응로와 증착 원리 화학 기상 증착 변수의 영향 다결정 실리콘 성장 LPCVD 박막의 이용 |
| 장비이미지코드 | https://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201310/2013102415730205.jpg |
| 장비위치주소 | 한국과학기술연구원 청정연구동(L6) |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2007-05-052111 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | https://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-KIST_Fab-00015 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |