| 시설장비 설명 |
ESCA(Electron spectroscopy for chemical analysis) 혹은 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)는 시료의 표면에 특성 X-선을 입사시켜 방출되는 광전자의 에너지를 측정함으로써 시료 표면층의 조성 및 화학적인 결합상태를 알 수 있다. 에너지원으로 X-선이 사용되어 절연체의 분석에 큰 장점을 가지고 있으며, 이온빔으로 표면을 식각하여 깊이에 대한 분포도를 측정할 수 있다. 1. X-ray source 가열된 필라멘트에서 방출된 열전자가 가속되어 타겟에 충돌할 때 타겟 물질에서 방출되는 특성 X-선을 그 에너지원으로 이용한다. 2. X-선원의 종류 : Mg Ka(1253.6eV), Al Ka(1486.6eV) 사용 이유 : Beam 선폭이 좁아 energy resolution이 좋으며, 원소에 따라 선원선택 3. 진공도 : UHV chamber (10-10 torr) 4. Ion gun : Ar (depth profile) 5. 주요 적용범위 - 극 표면(수A)에 대한 조성 분석. - 박막의 깊이 방향 원소 분포 분석(depth profiling) - 2차원적인 원소 분포도 측정(image mapping) 6. 장단점 - Bulk 절연체 분석이 용이 - 표면 선택성 우수 (~25A 이하) :Angle resolved XPS에서 약~10A 내외 가능 함 - 깊이에 따른 조성 및 결합상태 분석 - 검출한계(0.1at.%)이하 농도 분석이 어려움 |
