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고온 고에너지 이온주입장치

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보유기관명	한국전기연구원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C511
표준분류명	분석
시설장비 설명	이온주입장치는 반도체 제작에 사용되는 장치로서 p-형 혹은 n-형의 불순물 영역을 인위적으로 만드는 데 사용된다. 이온주입장치의 원리는 이온 소스로부터 특정 이온(Al, B, P, N 등)을 만든 다음 일정한 가속에너지와 빔 전류를 인가하여 오른쪽 그림과 같이 반도체 웨이퍼 속에 쏘아 넣음으로써 깊이 분포와 농도 분포를 갖도록 만드는 것이다. 이렇게 웨이퍼에 주입된 이온은 추가적인 열처리 공정을 거쳐서 전자, 혹은 정공을 캐리어로 하는 반도성 영역을 만들며, 이는 확산(diffusion) 공정으로 만들어지는 반도성 영역에 비하여 훨씬 더 정밀한 농도와 폭의 제어가 가능하다. 특히 SiC와 같은 차세대 전력반도체 재료에서는 근본적으로 확산 공정을 적용할 수 없으므로 SiC 전력반도체 제작에서 이온주입은 선택이 아닌 필수 공정으로서 자리잡고 있다.
장비이미지코드	http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201503/20150320155552488.jpg
장비위치주소	한국전기연구원 17연구동
NFEC 등록번호	NFEC-2015-03-200507
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-KERI-00198
첨부파일