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장비
장비 및 시설 기본정보
웨이퍼박막증착기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Applied Materials |
| 모델명 | P-5000 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 1996-10-19 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전자통신연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C507 |
| 표준분류명 | 생산 |
| 시설장비 설명 | Features - Load lock transfer chamber process chamber system - Process temperature : 200 ~ 500℃ - Process pressure : 0.1 ~ 5Torr - Gas : SiH4 N2O N2 NH3 O2 He TEOS O3 TEB TEPO Model : P-5000 MarkⅡ Maker : AME Application - Saline Oxide Deposition - TEOS Oxide Deposition - O3 BPSG Deposition - Nitride Deposition - Oxynitride Deposition Information - Chamber A 1) Process : Saline Oxide 2) Temperature : 400℃ 3) Gas : SiH4 N2O 4) Pressure : 3Torr 5) Wafer size : 6inch - Chamber B 1) Process : TEOS Oxide O3 BPSG 2) Temperature : 400℃ (TEOS Oxide) 480℃ (O3 BPSG) 3) Gas : TEOS O2 He (TEOS Oxide) O3/He/TEOS/TEB/TEPO (O3 BPSG) 4) Pressure : 5Torr (TEOS Oxide) 200Torr (O3 BPSG) 5) Wafer size : 6inch - Chamber C 1) Process : Nitride Oxynitride 2) Temperature : 400℃ 3) Gas : SiH4/N2/NH3 (Nitride) SiH4/N2O/N2 (Oxynitride) 4) Pressure : 4.5Torr (Nitride) 4Torr (Oxynitride) 5) Wafer size : 6inch * 1988년도에 도입된 장비로서 과제관련 정보(세부과제명 연구책임자 수행년도 등)가 없음. * 오래된 장비이지만 활용도 매우 높음. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201101/20110119105754.JPG |
| 장비위치주소 | 한국전자통신연구원 4동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-134898 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-201812179732 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |