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장비
장비 및 시설 기본정보
산화막 성장 및 폴리실리콘 증착용 LPCVD
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 세미트로닉스 |
| 모델명 | WAHF-612CC |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2018-09-20 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전기연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C500 |
| 표준분류명 | 기타 |
| 시설장비 설명 | 1)산화막 증착 - 중요기능: SiC trench MOSFET용 게이트 산화막 형성 - Wafer 크기: 조각 ~ 6인치 Wafer 처리능력: ≥ 10매 - 사용 소스 및 가스: Tetraethyl orthosilicate(TEOS) SiH4 N2O O2 N2 - 장비 내 균일한 온도 유지영역: ≥ 300 mm - PC control 자동 공정압력 조절 기능 포함 2)폴리실리콘 증착 - 중요기능: Phosphorous doped 및 undoped 폴리실리콘 증착 - Wafer 크기: 조각 ~ 6인치 Wafer 처리능력: ≥ 10매 - 사용가스: PH3 SiH4 N2 - 균일한 온도 유지영역: ≥ 300 mm - PC control 자동 공정압력 조절 기능 포함 |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201810/20181001165136224.jpg |
| 장비위치주소 | 17 전력반도체연구동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2018-10-246243 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-201812095546 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |