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원자층증착기

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보유기관명	한국화학연구원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C509
표준분류명	분석
시설장비 설명	특징 및 기능 cluster ALD (원자층 증착기) 반도체 제조 공정 중 화학적으로 달라붙는 단원자층의 현상을 이용한 나노 박막 증착 기술. 웨이퍼 표면에서 분자의 흡착과 치환을 번갈아 진행함으로 원자층 두께의 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고 산화물과 금속 박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있으며 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착시키는 화학 기상 증착(CVD)보다 낮은 온도(500도 이하)에서 막질을 형성할 수 있어 시스템온칩(SoC) 제조에 적합함. 또한 본 시스템에는 플라즈마 장치를 장착하여 반응성이 떨어지는 물질에 플라즈마를 적용하여 반응성을 높일 수 있는 시스템을 구축하였습니다.
장비이미지코드	http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201101/20110131153213.jpg
장비위치주소	한국화학연구원 1연구동
NFEC 등록번호	NFEC-2011-01-139170
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0025516
첨부파일