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장비
장비 및 시설 기본정보
플라즈마 화학 기상 증착기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 아텍시스템 |
| 모델명 | UF-CVD200 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2008-07-22 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 포항공과대학교 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C507 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | Maker / Model : A-Tech system Application RF PECVD Depo. (SiO2 SiNxAl2O3SiCAlN) Passivation of organic device Equipment Performance Operation Mode : Automation and Manual Operation available Available substrate size: 200×200mm ( 8 inch wafer )Application RF PECVD Depo. (SiO2 SiNxAl2O3SiCAlN) Passivation of organic device Equipment Performance Operation Mode : Automation and Manual Operation available Available substrate size: 200×200mm ( 8 inch wafer ) ※ the process of small glass (2.5*2.5mm or 5*5mm) possible. Chamber Size: 700mm(Dia) * 560mm(H) Base Pressure ≤ 3.0E-7 Torr Heating substrate : Max 450℃ Gas source : NH3 N2 SiH4 O2 N2O CF4 NF3 Ar H2 CH4 Liquid source : TMA(Try-methyl Aluminum) Gases (MFC Capacity) Ar 100sccm O2 60sccm N2 90sccm CH4 50sccm SiH4 80sccm NH3 100sccm※ the process of small glass (2.5*2.5mm or 5*5mm) possible. Chamber Size: 700mm(Dia) * 560mm(H) Base Pressure ≤ 3.0E-7 Torr Heating substrate : Max 450℃ Gas source : NH3 N2 SiH4 O2 N2O CF4 NF3 Ar H2 CH4 Liquid source : TMA(Try-methyl Aluminum) Gases (MFC Capacity) Ar 100sccm O2 60sccm N2 90sccm CH4 50sccm SiH4 80sccm NH3 100sccm Process Performance Nitride Deposition ● Oxide Deposition THK Uniformity < 1% (1sigma) ▷THK Uniformity < 1~1.8% (1sigma) |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110127174144.JPG |
| 장비위치주소 | 경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 포항공과대학교 나노기술집적센터 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2008-08-062623 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0009191 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |