| 시설장비 설명 |
본 장비는 투과전자현미경 분석 시편의 연마 및 크리닝에 사용되는 저에너지 이온밀러이다. 기존의 이온밀러와 마찬가지로 고순도 아르콘 가스를 이용하여 200V~2kV의 고밀도 이온빔으로 투과전자현미경 분석시편의 두께를 감소 및 균일하게 만든다. 기존의 이온밀러와 다른점은 저에너지에서 사용가능하다는 점이다. 기존의 이온밀러는 약 500V이상에서 작동된다. 구성은 이온빔장치, 시편 회전 장치, 시편을 관찰할 수 있는 광학 현미경과 CCD 카메라 그리고 제어할 수 있는 컴퓨터로 구성되어 있다. 이온빔 장치와 시편은 고진동 챔퍼내에 장치되어 있다. 이장비는 조사결함의 투과전자현미경 분석 시편 제작에 주로 이용된다. 기존의 이온밀러를 이용하였을경우 상대적으로 고에너지에서 이온밀링에 의한 결함 형성을 야기시키는 이차적인 오염이 발생하여 저에너지 이온밀러의 사용이 필요하다. 또한 현재 많이 제작하고 있는 집속이온빔 가공장치를 이용한 투과전자현미경 시편의 경우 추가적인 두께 감소 작업을 본 장비에서 수행할 수 있어 보다 나은 분석시편 제작에 도움이 된다. 영문으로 작성된 장비 제원을 다음과 같다. TEM, SEM and FIB sample preparation for materials science, nanotechnology and semiconductor industry Ion beam thinning in 30 eV 20 000 eV range Artifact-free and damage-free samples Fast ultra-high-energy milling Trimming & cleaning of FIB samples Slope cutting and cleaning of SEM samples Low-energy ion sources for analytical applications (AES, UPS, XPS and SIMS) |
