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유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각 시스템

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보유기관명	한국과학기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C510
표준분류명
시설장비 설명	ICP-RIE는 컨트롤러 챔버 로드락등으로 이루어져 있으며 6가지의 가스(Ar O2 Cl2 CF4 SF6 C4F8)를 이용할 수있다. 기존에 많이 쓰여지는 RIE와는 달리 에칭하고자 하는 샘플 위아래에서 바이어스를 걸어주므로 에칭율과 aspect ratio를 늘릴수 있다. 로드락이 있으므로 신속한 공정이 가능하며 자동화 시스템이 구축되어 있어서 보쉬 프로세스가 가능하며 누구나 쉽게 공정을 할 수 있다. 원리를 예로 들어 설명하면 Si과 SiO2을 에칭하기 CF4나 SF6 가스를 RF power source를 이용하여 plasma상태로 이온화시킨 뒤 이온화된 이온이 에칭시켜주는 것이다. 또한. RIE에서 에칭할 수 없는 재료들도 Cl2가스와 바이어스를 추가하여 에칭이 가능하다.
장비이미지코드	http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201101/20110112203139.jpg
장비위치주소	한국과학기술원 응용공학동
NFEC 등록번호	NFEC-2011-01-132848
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0021648
첨부파일