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플라즈마화학기상증착시스템

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보유기관명	광주과학기술원
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C510
표준분류명
시설장비 설명	특징 - 증착물질 : SiO2 Si3N4 SiON - wafer size : piece ~ 6 inch - 기판가열 : 400℃(max) - Power : 500W(max) - RF generator : LF(50kHz-460kHz) HF (13.56Mhz) - Dual-frequency증착 :stress 조절 가능(SI3N4의 경우) -PECVD장비는 반도체 소자나 플라스틱 유리 같이 온도에 민감한 재료에 증착하는 경우 중요한 수단이 되며 열기상증착법을 사용할때보다 증착 속도가 빠른 장점이 있다. PECVD는 코일에 전류를 인가하여 발생되는 유도 전기장에 의해 플라즈마를 발생시키고 이를 통해 웨이퍼에 증착과정을 거치므로 이를 수치적으로 해석하기 위해서는 코일에 인가한 파워 또는 전류에 대한 장치 전반적인 전자기장 그리고 화학반응등 여러 물리적 해석이 동시에 수반되어야한다.
장비이미지코드	http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201101/20110113193105.JPG
장비위치주소	광주과학기술원 정보통신 A동
NFEC 등록번호	NFEC-2011-01-133288
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0021790
첨부파일