| 시설장비 설명 |
과제명 : 2010 KIST 노후장비개체비 주관기관 : 한국과학기술연구원 과제번호 : 2032010 연구책임자 : 박재관 본 장치는 실리콘 박막재료 및 나노구조체를 대면적으로 재현성 있게 합성하기 위한 장치로서 텅스텐 또는 탄탈 열선의 촉매작용을 통하여 원료가스를 빠르게 분해시킴으로써 비교적 저온에서 고속으로 성장시킬 수 있는 장치임. 추가적으로 운송 챔버를 이용하여 증착하고자 하는 기판을 대기 중에 노출시키지 않고, 진공 중에서 신속한 이송이 가능하므로 p-i-n 실리콘 도핑 공정을 연속적으로 수행할 수 있음. 장치의 구성은 크게 프로세스 챔버 (Catalyst CVD), 샘플 운송 챔버, 진공 로드락 챔버 등이 장착된 메인 챔버와 가스캐비넷, 가스정화장치 (스크러버) 등으로 구성되어 있으며 최저압력 (base pressure) 1×E-7 torr, 샘플면적 2 inch, 증착율 300 nm/min의 사양을 가지고 있음. 본 장치는 저온에서 고속으로 박막 및 나노구조체를 성장시킬 수 있으며 최소 2 inch 면적에서 균일한 막 두께 및 표면거칠기를 얻을 수 있는 성능을 가짐. 또한 공정 안정화 및 높은 공정효율을 가짐. |
