- HOME
- 기술정보
- 장비
장비
장비 및 시설 기본정보
고온 및 저온 진공 챔버스테이지
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 엠에스테크 |
| 모델명 | MST6000C |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2012-03-28 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전기연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | D101 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | SiC 전력반도체는 실리콘(Si) 전력반도체와 비교하여 많은 결정결함이 존재하며 이들은 소자의 전기적인 특성에 지배적인 영향을 미친다. 이들 결함들은 에너지금지대역(energy band-gap)에 결함준위를 만들며 이들은 전기적(EL) 혹은 광적(PL) 여기를 가하면 빛(광학신호)의 형태로 반응하게 된다. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201209/20120927134017.jpg |
| 장비위치주소 | 한국전기연구원 제3연구동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2012-04-164781 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0032882 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |