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장비 및 시설 기본정보
ICP-RIE 에칭 장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 플라즈마트(Plasmart) |
| 모델명 | MINIPLASMA station(ICP-RIE) |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2009-07-31 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 광주과학기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 특징 상기장비는 나노소자에서 금속 전극의 에칭 및 HfO2등의 고유전율 산화물 에칭을 주용도로 한다. 나노소자의 금속전극은 그 크기가 100nm급의 패턴에서의 etching으로 Al W TiN등의 금속 에칭이 요구 된다. 또한 산화물전계트랜지스터 (MOSFET)의 게이트와 저항변화 소자로 사용되는 HfO2 TiO2등의 고유전율 산화물의 에칭을 위해 사용된다. 위 에칭은 크기(100nm)나 두께(수 nm)등의 고정밀 etching이 요구 된다. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201404/20140424173355545.jpg |
| 장비위치주소 | 광주과학기술원 금호관 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2010-04-078889 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0017489 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |