| 시설장비 설명 |
* 특징 DB-FIB System 이온빔과 전자빔으로 구성 FIB System에서 사용되어지는 ion source는 Ga으로 쌓여진 바늘 모양의 tip형태를 하고 있다. 이와 같은 Ga Ion Source를 LMIS 즉 Liquid Metal Ion Source라고 부르는데 이는 수은과 같이 상온에서 쉽게 액상이 되는 Ga의 특성 때문이다. 일반적으로ion source에는 30 ~50kV 의 전압이 인가되며 Ion source와 Extractor 전극 사이의 전위 차이로 인하여 이온화된 후 방출되는데 이것을 ion emission effect라고 한다.FIB의 Ion Source로 Ga을 쓰는 이유는 melting point가 낮은 반면 boiling point가 매우 높으며 이온화 된 경우에 +1가가 95% 이상을 차지하여 에너지 분산도가 작기 때문이다. 또한 고 전류 밀도 고선명도 등의 특징을 가지고 있다.30~50keV의 가속 에너지로 입사할 경우 가장 sputtering Yield가 큰 것으로 보고가 되고 있는데 이와 같은 조건에서 입사되어진 이온에 의하여 시료에서는 Neutron electron ion의 순서로 많은 양의 이차 입자들이 튀어 나오게 된다. 이때 FIB는 Detector의 Grid bias에 어떤 전위를 형성 시켜주느냐에 따라 이차전자를 취할 수도 있고 이차이온을 취할 수도 있다. |
