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장비
장비 및 시설 기본정보
이온주사전자현미경
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Carl Zeiss |
| 모델명 | 1540ESB |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2006-07-25 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 충북테크노파크 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | A200 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 반도체, 부분품 소재의 미세구조 및 성분 분석 1. Resolution : 7 nm @ 30 kV guaranteed, 5 nm achievable 2. Magnification : 600x - 500kx 3. Probe Current : 1 pA - 50 nA 4. Emitter : Ga liquid metal ion source (LMIS) 5. Detectors : In-column: EsB with filtering grid (BSE) Filtering grid voltage 0 - 1500V 6. Operating Pressure : 5x10-5 mbar or lower 7. Specimen Stage : 6-axes fully eccentric, all motorized 8. Gas Injection System : Up to 5 gases for selective Etching, enhanced etching, material deposition, Insulator deposition 9. EDX (Energy Dispersive X-ray Spectrometer)1. Resolution : 7 nm @ 30 kV guaranteed 5 nm achievable 2. Magnification : 600x - 500kx 3. Probe Current : 1 pA - 50 nA 4. Emitter : Ga liquid metal ion source (LMIS) 5. Detectors : In-column: EsB with filtering grid (BSE) Filtering grid voltage 0 - 1500V 6. Operating Pressure : 5x10-5 mbar or lower 7. Specimen Stage : 6-axes fully eccentric all motorized 8. Gas Injection System : Up to 5 gases for selective Etching enhanced etching material deposition Insulator deposition 9. EDX (Energy Dispersive X-ray Spectrometer)1. 반도체 소자 및 부분품 소재의 미세구조 분석 및 성분분석등 2. 반도체 Chip 회로 Milling & Deposition 3. TEM 시편 제작 및 STEM 기능 분석등 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110111094817.JPG |
| 장비위치주소 | 충청북도 청주시 청원구 오창읍 연구단지로 76 충북테크노파크 첨단IT산업관 1층 물성분석실 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2007-10-019465 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0003947 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |