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장비
장비 및 시설 기본정보
그래핀 성장 장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 싸이엔텍 |
| 모델명 | TCVD50 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2014-07-17 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 기초과학연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C503 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | Furnace를 이용하여 원하는 기판의 온도를 1000℃이상의 고온으로 가열하고 reactor로 사용하는 quartz tube 내에 진공을 형성하여 반응성 가스(H2 CH4) 를 삽입 고온의 열에너지로 분해하여 원하는 기판위에서 graphene carbon nano tube 등의 박막성장을 위한 장비로서 새로운 소재를 다양한 기판위에 성장하는 시스템임. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201408/20140827161614565.png |
| 장비위치주소 | 울산과학기술대학교 101 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2014-08-191069 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0044869 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |