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장비 및 시설 기본정보
직류형 마그네트론 스퍼터링 장치
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | ULVAC |
| 모델명 | MPS-4000-3C |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2002-08-22 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국광기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 금속 및 산화물 박막 증착용 장비 1. 적용가능 기판크기 : 조각 ～ 4인치 2. Main chamber - 기본 진공도 : 1×10-8 torr - 8" size : 3가지 metal target 장착가능 3. Oxidation chamber - 기본 진공도 : 1×10-8 torr - Metal 박막 증착 후 산화 기능 4. ±5% 미만 4“ wafer 기준 5. Load Lock Chamber System - 기판 Pre-cleaning 가능 (Plasma 방법) - 기본 진공도 : 1×10-6 torr 6. Power supply : DC 1.2kW 7. 공정 가스 : Ar O2 N2 8. N2 gas purging system 금속 물질을 박막으로 올릴수 있는 장비로 타겟은 8인치(200mm dia) 직경이고 두께는 1/4t를 사용하고 있음 기판은 4인치 직경의 원반형태로 3t까지 가능함고진공을 유지하며 연구를 수행할 수 있는 스퍼터링 장비로 다음과 같이 구성되어 있음. 1. 로드락: 1개 2. 주 챔버: 2개 - DC source: 8인치 타겟 3개 - RF source: 2인치 타겟 1개Mo Cu In을 이용한 박막태양전지 제조 1. Sodalime glass 기판을 로드락에서 플라즈마 etching(cleaning) 함 2. 플라즈마 처리된 기판은 main chamber에서 순차적으로 Mo-In-Cu를 증착함 증착된 박막은 CIS 박막태양전지를 만드는 전구체로 사용됨. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110121180440.jpg |
| 장비위치주소 | 광주 북구 월출동 971-35 한국광기술원 실험동 1층 물리증착실 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2010-12-126362 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0019833 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |