습식 절연막 제거 장치
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 리나코리아 |
모델명 | InOxide minilab tool |
장비사양 | |
취득일자 | 2012-10-12 |
취득금액 |
보유기관명 | 한국에너지기술연구원 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C510 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 본 장비는 도핑 공정 후의 불순물인 PSG와 후면 에미터 층을 동시에 제거할 수 있어 태양전지 제조 공정에서 edge isolation 공정을 대신할 수 있는 장비이다. - 후면 에미터 층을 제거함으로써 태양전지 효율향상에도 기여할 수 있음.또한 박형 웨이퍼의 edge isolation시 파손율을 낮출 수 있는 공정이다. 크기 : 2660 ㎜ × 600 ㎜ × 1454 ㎜ approx. [LengthxWidthxHeight] - 장비 사양 156×156 ±0.5 ㎜ square and pseudo square 실리콘 웨이퍼용 기판이동속도 0.5 - 2.0 m/min 6인치 태양전지 웨이퍼를 위한 싱글 레인 시스템 이송 방향에서 웨이퍼 간 간격 40 mm 배기관 연결 냉각수 DI water compressed air 라인 연결 후면 emitter제거와 PSG 제거 소재 : PP WHITE결정질 실리콘 태양전지 제조시에 후면의 불필요한 도핑층을 제거할 수 있다 웨이퍼를 floating하는 방식으로 공정이 진행되면 공정 중 발생하는 fume을 효율적으로 제거하는 것이 중요하다. |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201210/.thumb/20121026162625.jpg |
장비위치주소 | 대전 유성구 장동 25-15 한국에너지기술연구원 태양광핵심기술연구센터 3층 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2013-01-174634 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0035623 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |