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ICP 식각장치_20nm

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보유기관명	포항공과대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C510
표준분류명
시설장비 설명	ICP 식각장치_20nm(ICP Etcher(poly/oxide))의 특징은 다음과 같습니다. 반도체 공정에서 리소그라피 공정 이후 원하는 패턴 형성을 위하여 식각하는 역할을 한다.구성및성능 ▶Silicon etch rate ≥ 3000Å/min ▶Silicon etch uniformity (3sigma) ＜ 3% ▶Mask selectivity ≥ 4 @ (Recess Gate Etch 기준) poly : oxide = 4:1 ▶Vertical profile (89°~ 90°) for gate poly etch ▶ Minimum etch loading (CD Bias) ≤ 3 nmICP 식각장치_20nm(ICP Etcher(poly/oxide))의 활용분야는 다음과 같습니다. ▶40nm 이하의 식각 ▶Poly-Si Oxide Nitride 등의 다양한 물질의 식각
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201102/.thumb/20110214150904.gif
장비위치주소	경상북도 포항시 남구 청암로 77 (지곡동) 포항공과대학교 나노기술집적센터
NFEC 등록번호	NFEC-2008-08-062619
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0013703
첨부파일

기업조회