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장비 및 시설 기본정보
마스크정렬기(미세정렬패턴장치)
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 마이다스시스템 |
| 모델명 | MDA-400M |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2008-01-18 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 경희대학교 산학협력단 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C501 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 반도체/Display 등의 공정 중에서 Wafer위에 PR이라는 Polymer 물질을 도포하여 Pattern의 원판 역할을 하는 Mask와 정렬을 한 후 자외선을 투과시켜 미세회로를 구현1. Light Source Module - Near UV Light Source: 350nm ~ 450nm - 365nm Max. Intensity : 30mw/cm2 - Max. Beam Size: 6.25inch x 6.25inch - Beam Uniformity: 5% 2. Microscope - Dual CCD zoom microscope - 17inch LCD monitor - 2x Attachment - Magnification : 80x ~ 1000x ( Monitor배율 ) 3. Stage and Controller Module - Exposure Time: 0.1 to 999.9 sec - Stage Movement: XY Z and Theta X Y : 5 mm Theta : 4도 Z : 10 mm - Exposure Mode Vacuum Contact Pressure Contact : Hard / Soft Proximity - Alignment Accuracy : 1.0um 4. Resolution - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR Si Wafer ) - Pressure Contact : 2um - Soft contact : 3um - 20um Proximity : 5um 5. SUS Table : 1200 x 1000 x 750 6. Utilities requirement - Electric power : 220VAC 15 Amp 1직경 with Ground - Nitrogen : 40 psi ( 3kg/cm2 ) 외경 6 tube - OFA : 85 psi ( 5 kg/cm2 ) 외경 6 tube반도체/Display 등의 공정 중에서 Wafer위에 PR이라는 Polymer 물질을 도포하여 Pattern의 원판 역할을 하는 Mask와 정렬을 한 후 자외선을 투과시켜 미세회로를 구현하는 장치 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201109/.thumb/20110916184306.JPG |
| 장비위치주소 | 경기 수원시 영통구 이의동 864-1번지 광교테크노밸리 경기바이오센터 4층 415 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2009-10-073739 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0014046 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |