고효율, 고출력 엑시머 레이저
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | Coherent |
모델명 | LPXpro 210 |
장비사양 | |
취득일자 | 2013-07-11 |
취득금액 |
보유기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | A410 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | KrF Gas를 본 시스템에 주입하여 248nm의 파장에서 최대 800mJ의 Energy를 발생시키는 레이저 입니다. 태양전지 메모리 소자 등에 응용될 수 있는 반도체 산화물 박막을 PLD (Pulsed Laser Deposition) 방법으로 증착하고자 할 때 반드시 필요하며 증착하고자 하는 target 물질을 고출력의 Excimer laser로 증발(laser ablation) 시켜 양질의 산화물 박막을 얻을 때 필요한 장비입니다.기 기 구 성 - Laser Head - User interface (handheld keypad) - HV power supply 상 세 구 성 - Max. Pulse Energy up to 10Hz : 450mJ at 193nm 800mJ at 248nm - Max. Stabilized Pulse Energy at Full Repetition Rate : 300mJ at 193nm 700mJ at 248nm - Max. Rep. Rate : 100Hz - Max. Stabilized Avg. Power : 30W at 193nm 70w at 248nm - Energy Stability : ≤1% (at 5Hz 1 sigma) - Pulse Duration : 20ns (FWHM typ.) - Beam Dimension(V x H) : 10 x 24㎟ (FWHM typ.) - Beam Divergence(V x H) : ≤1 x 3 mrad2 (FWHM typ.) - Electrical : 208 or 400V 50/60Hz 3-Phase - Water Cooling : ≤7l/min.(1.8gal./min.) 15 to 20℃ - Weight : Laser Head (400kg / 880lbs.) / Power Supply (50kg / 110lbs.) - Dimension(LxWxH) : Laser Head(1966 x 800 x 475㎣ / Power Supply(750 x 460 x 185 ㎣)주로 대학교 및 연구소 등에서 물질의 미세가공 (Micromachining) 및 초박막 연구를 위한 Ablation PLD FBG Writing에 주로 사용되며 또한 산업분야 응용연구로서 물질의 표면을 미세하게 가공하는 Scribbing 미세 홀 가공을 위한 Via hole drilling 재료의 미세 Cutting 등 광범위하게 사용할 수 있는 장비입니다. |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201308/.thumb/20130809172434717.jpg |
장비위치주소 | 서울 관악구 대학동 서울대학교자연과학대학 산 56-1 서울대학교 19동 (자연과학대학) 4층 401호 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2013-08-181974 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0039513 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |