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MOMBE 시스템

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보유기관명	인하대학교
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C504
표준분류명
시설장비 설명	The chemical beam epitaxy (CBE) forms an important class of deposition techniques for semiconductor layer systems especially III-V semiconductor systems. This form of epitaxial growth is performed in an ultrahigh vacuum system. The reactants are in the form of molecular beams of reactive gases typically as the hydride or a metalorganic. The term CBE is often used interchangeably with metal-organic molecular beam epitaxy (MOMBE)- ZnO 에피층을 비롯한 나노박막의 에피성장용 장비로서 MBE와 ALE의 기능을 동시에 갖는 매우 효과적인 장비이다. - 고품위의 단결정 박막 제조에 특히 효율적인 장비이다. - MBE 기능 (molecular beam epitaxy)- 소스에 따른 여러 가지 고품위 단결정 에피 나노박막의 성장이 가능하다. - 에피층을 사용하는 나노 전자재료 박막의 시험연구 가능하다. - 단결정 박막의 특성 연구를 위한 공정 장비의 연구가 가능하다.
장비이미지코드	http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201111/.thumb/20111101150545.jpg
장비위치주소	인천 남구 용현1,4동 인하대학교 253 인하대학교 5호관 5층 북531
NFEC 등록번호	NFEC-2010-12-119216
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0019355
첨부파일

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