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장비 및 시설 기본정보
전기 도금 장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | NEXX |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2009-03-20 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국광기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C525 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | ㅇ적용가능 기판크기 : 2" 4" wafer 조각 ㅇ도금 Bath - Au 도금 (2ea) : P-Bonding-Pad용 FCB-metal용 등 - AuSn 도금 (1ea) : SiOB solder bump용 등 ㅇ도금 조건 - 도금 균일도 : 두께의 3% 이내 - 도금 가능 두께 : 1㎛～501㎛ - 도금 속도 : 0.11㎛/min 이상 - 도금액 온도 제어 범위 : 실온～70℃ ㅇQDR Bath - Shower N2 bubble Over Flow Quick Drain 기능 - 수동 및 자동 모드 ㅇD.I. water gun N2 gun ㅇGoose Neck : D.I. Water 세정 Foot 스위치 1) 규격 및 수량 : 1. Au AuSn Cu electroplating bath and wet station 2. Wafer Size: 2 inch ~ 8 inch 3. Rectifier (정류기) 1) Output voltage : DC 0 ~ 18V 2) Output current : DC 0 ~ 1A 3) Current density : 1ASD Current density accuracy : ±0.05ASD 4. Heater 1) Power : 2 kW 2) Temperature : 80℃ Accuracy : ± 2℃ 5. Circulating pump required. 60 ~ 90L/min 6. Chemical filter( 5㎛) & housing 2) Plating Part Spec. l. Rectifier 1) Output voltage : DC 0 ~ 18V 2) Output current : DC 0 ~ 1A 3) Current density : ≧ 1ASD 4) Current density accuracy : ≦ ±0.05ASD 5) Rectified voltage ripple noise : ≦ ±100mV 6) Rectified current ripple noise : ≦ ±0.5mA 2. Heater 1) Power : ≧ 2 kW 2) Temperature : ≦ 80℃ 3) Accuracy : ≦ ± 2℃ 4) Cooling line should be loaded in reservoir bath for Cu plating 3. Parts 1) Temperature controller 2) Pt/Ti Meas (for 3㎛ plating thickness) 3) Cooling line should be loaded in reservoir bath for Cu plating 4) Temperature sensor Amper meter PH meter 4. Circulating pump required. 60 ~ 90L/min 5. Chemical filter(≦ 5㎛) & housing |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201101/.thumb/20110131094141.jpg |
| 장비위치주소 | 광주 북구 월출동 971-35 한국광기술원 실험동 1층 메인클린룸 wet |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-01-139098 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0023467 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |