| 보유기관명 |
서울대학교 산학협력단 |
| 보유기관코드 |
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| 활용범위 |
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| 활용상태 |
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| 표준코드 |
D302 |
| 표준분류명 |
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| 시설장비 설명 |
상기 제품은 KrF Gas를 본 시스템에 주입하여 248nm의 파장에서 최대 400mJ의 Energy를 발생시키는 Laser입니다. 태양전지 메모리 소자 등에 응용될 수 있는 반도체 산화물 박막을 PLD (Pulsed Laser Deposition) 방법으로 증착하고자 할 때 반드시 필요하며 증착하고자 하는 target 물질을 고출력의 Excimer laser로 증발(laser ablation) 시켜 양질의 산화물 박막을 얻을 때 필요한 장비입니다. 주로 대학교 및 연구소 등에서 물질의 미세가공 (Micromachining) 및 초박막 연구를 위한 Ablation 또는 PLD에 주로 사용되며 또한 산업분야 응용연구로서 물질의 표면을 미세하게 가공하는 Scribbing 미세 홀 가공을 위한 Via hole drilling 재료의 미세 Cutting 등 광범위하게 사용할 수 있는 장비입니다. |
| 장비이미지코드 |
http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201111/.thumb/20111117160705.JPG |
| 장비위치주소 |
서울 관악구 대학동 서울대학교 산 56-1 서울대학교 22동 (자연과학대학) 1층 115호 |
| NFEC 등록번호 |
NFEC-2011-11-150548 |
| 예약방법 |
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| 카타로그 URL |
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| 메뉴얼 URL |
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| 원문 URL |
http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0030381 |
| 첨부파일 |
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