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장비 및 시설 기본정보
깊은준위 건식식각 장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Tegal |
| 모델명 | Tegal 200 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2010-11-30 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 울산과학기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | - Si Deep etching process는 일반적으로 High Power source를 이용한 ICP챔버 내부에서 및 SF6의 Gas를 이용하여 고밀도 플라 즈마를 생성 후 웨이퍼/substrates에 깊이 침투하여 High Asepct Ratio의 구조를 제작 할 수 있다. 이 때 Bosch process를 이용한 Passivation Process(C4F8)및 etching process(SF6)를 동반 하여 보다 안정된 High Aspect ratio를 구현 할 수 있다. Micro electro mechanical System device제작시 많이 이용 되는 장비 중 하나로써 Si wafer를 구조로써 사용 할 때 이용 된다. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201209/20120927110949.jpg |
| 장비위치주소 | 울산과학기술대학교 자연과학관 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2012-09-172235 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0035113 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |