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장비 및 시설 기본정보
절연막증착장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 지에이티 |
| 모델명 | GMC 1200 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2011-07-22 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국해양대학교 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C506 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 본 장비는 반도체 표면 기판에 산화물을 증착하기 위한 장비이다. RF sputter 방식을 이용하여 산화물을 증착하는 장비이다. 동작을 위하여 RF 전원을 이용하며 이는 자동으로 impedance가 정합되어야 한다. 기판은 4“(Dia.)를 사용하며 4” 면적에서 ± 3% 이상의 uniformity를 얻을 수 있다. 최고 도달 진공도(1×10-7 Torr)까지 30분 이내의 빠른 시간에 도달 할 수 있다. 공정 gas로 Ar과 O2를 동시에 투입 할 수 있으며 pressure control 기능을 이용하여 항상 setting된 공정 압력을 정확하게 유지한다. 증착하는 막질을 control 하기 위하여 cathode와 기판간의 거리는 30mm stroke까지 조절 가능하다. 박막 증착시 막질의 개선을 위하여 기판의 온도는 600℃까지 가열 할 수 있다.공정 gas로 사용되는 Ar과 O2의 분압도 자동으로 setting 값에 의해 정확하게 유지 할 수 있으며 이는 일정 분압비 또는 일정 Ar flow의 2가지 설정방식을 활용할 수 있다. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201108/.thumb/20110805164004.jpg |
| 장비위치주소 | 부산광역시 영동구 동삼동 1번지 반도체실험실 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-08-147635 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0029619 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |