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장비 및 시설 기본정보
12k급 탄소섬유 플라즈마 안정화 공정 장비
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 올포시스템 |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2011-10-31 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국과학기술연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C410 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 본 장비는 200mmX20mm 면적에 방전을 발생하는 대기압 플라즈마 소스 2개가 직렬 연결되어 장착된다. 각 Plasma source는 복수 의Gas hole을 포함하며 공정을 위한 Gas가 MFC를 통해 해당 Hole으로 나와 플라즈마화 되어 섬유와 반응을 일으킨다. 각 Plasma source 아래에는 방전영역보다 큰 면적의 열원이 존재하며 각 열원은 온도를 표시하며 온도를 승온하여 플라즈마 소스와 열원 사이를 원하는 온도로 제어할 수 있도록 한다. 섬유는 Plasma source 양쪽 바깥쪽에 자리한 Roller를 통해 이동하며 이동 중 섬유의 이동 속도는 0.1cm/분 ~ 1000cm/분 수준의 아주 낮은 속도로 지나며 제어된 크기의 Tension을 받은 채 공정이 일어나도록 하여 공정 중 섬유의 수축을 방지한다. Frame은 Plasma source를 감싸는 구조로 제작되어 섬유 처리 중 외부가스와의 혼합 온도의 하강 불균일한 온도/가스 분포 현상을 막는다. ) Frame에는 Gas Duct를 통한 배기 System을 설치하여 인체에 유해한 Gas가 실험실로 다량 나오는 것을 방지한다. 본 장비를 이용하여 현재 12k 급으로부터 최대 48k 급의 PAN 섬유를 안정화 시험할 수 있으며 이를 이용하여 차세대 저비용 탄소섬유 제작 공정을 개발할 예정이다.1. 200mmX20mm 면적에 방전을 발생하는 대기압 플라즈마 소스 2개가 직렬 연결되어 장착된다. 2. 각 Plasma source는 복수의 Gas hole을 포함하며 공정을 위한 Gas가 MFC를 통해 해당 Hole으로 나와 플라즈마화 되어 섬유와 반응을 일으킨다. 3. 각 Plasma source 아래에는 방전영역보다 큰 면적의 열원이 존재하며 각 열원은 온도를 표시하며 온도를 승온하여 플라즈마 소스와 열원 사이를 원하는 온도로 제어할 수 있도록 한다. 4. 섬유는 Plasma source 양쪽 바깥쪽에 자리한 Roller를 통해 이동하며 이동 중 섬유의 이동 속도는 0.1cm/분 ~ 1000cm/분 수준의 아주 낮은 속도로 지나며 제어된 크기의 Tension을 받은 채 공정이 일어나도록 하여 공정 중 섬유의 수축을 방지한다. .Frame은 Plasma source를 감싸는 구조로 제작되어 섬유 처리 중 외부가스와의 혼합 온도의 하강 불균일한 온도/가스 분포 현상을 막는다. ) Frame에는 Gas Duct를 통한 배기 System을 설치하여 인체에 유해한 Gas가 실험실로 다량 나오는 것을 방지한다. 본 장비를 이용하여 현재 12k 급으로부터 최대 48k 급의 PAN 섬유를 안정화 시험할 수 있으며 이를 이용하여 차세대 저비용 탄소섬유 제작 공정을 개발할 예정이다. |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201112/.thumb/20111205153022.JPG |
| 장비위치주소 | 전북 완주군 봉동읍 은하리 산101번지 전북분원 한국과학기술연구원 전북분원 연구동 1층 R1131 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2011-12-151500 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0030609 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |