릴투릴 단일 진행 공정 다층 코팅 장치
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | (주)울텍 |
모델명 | 모델명 없음 |
장비사양 | |
취득일자 | 2013-09-26 |
취득금액 |
보유기관명 | 한국전기연구원 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C506 |
표준분류명 | 분석 |
시설장비 설명 | 최근 IBAD 기판 기반의 고온초전도 선재의 제조 공정에 대한 저비용 단순화 대체 공정으로 용액 코팅법에 의해 평탄화된 Y2O3 산화물 완충층을 형성하는 공정이 개발되었다. 본 기술은 기존 박막증착용 고평탄화 계면 기판을 위한 전해연마 공정과 금속 확산 방지용 완충층 기판을 위한 진공 증착법에 의한 Al2O3/Y2O3 완충층 공정을 단 하나의 공정으로 완전 대치 가능한 혁신적인 공정이다. 용액코팅법에 의한 고평탄 산화물 완충층 코팅 기술을 개발하였고 이를 실제 100m 이상의 IBAD 기판 제조용 장선화 공정으로 확대 적용하기 위해 Reel-to-reel 연속 방식으로 다층의 코팅 공정을 수행할 수 있는 장치가 반드시 필요하다. 본 장치는 “IBAD 기판 제작을 위해 IBAD_MgO 증착이 가능한 2nm 이하의 표면 거칠기를 갖도록 Y2O3 완충층으로 평탄화된 길이 100m 이상의 금속 기판” 제조가 가능하다. |
장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201312/2013120317274100.JPG |
장비위치주소 | 한국전기연구원 제2연구동 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2013-12-184214 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0053319 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |