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장비 및 시설 기본정보
초고진공 화학적 증착기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 우신크라이오백 |
| 모델명 | 모델명 없음 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2009-09-30 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 울산과학기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C503 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | - Wafer에 Gas를 분사함으로서 Gas와 Sample이 화학반응을 일으켜 새로운 속성의 Wafer를 만들 수 있도록 하는 장비이다. 이 장비에 주로 사용될 Wafer는 Silicon Wafer이고 사용되어지는 Gas는 C2H4와 H2 etc. 여러 Gas가 사용되어지며 이로써 SiC를 얻을 수 있다. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201209/20120927111557.jpg |
| 장비위치주소 | 울산과학기술대학교 자연과학관 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2012-09-172234 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0035112 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |