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장비 및 시설 기본정보
등방성 실리콘 에쳐
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | techbank corporation |
| 모델명 | SSXES |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2001-11-02 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국과학기술연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C510 |
| 표준분류명 | 계측 |
| 시설장비 설명 | Vapor-phase etchant XeF2 Etch rates: 1-3 Κm/min (up to 40) isotropic (Silicon 등방성전용식각장비) Etch masks: photoresist SiO2 Si3N4 Al metals Etched surfaces have granular structure 10 um roughness ？Hazard: XeF2 reacts with H2O in air to form Xe and HF |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201302/20130219113016647.JPG |
| 장비위치주소 | 한국과학기술연구원 청정연구동(L6) |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2013-02-176157 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-NTIS-0037835 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |