| 시설장비 설명 |
상기의 thermal CVD는 심플한 구조로 silicon nano tube 등의 nanostructure를 가지는 물질의 증착을 위하여 국내의 주요 연구기관에서 사용하고 있는 장비입니다. CVD[화학증착]는 Pack cementation Thermal CVD 플라즈마 CVD로 크게 나눌 수 있습니다. CVD의 기본원리는 증착하고자 하는 물질을 함유하는 반응가스를 반응조에 도입하여 가열된 기판 표면에서 열분해를 일으키도록 함으로써 원하는 물질을 증착하는 것입니다. CVD에서는 필연적으로 반응가스가 분해되어 증착막이 형성되는 화학반응이 수반되면 반응 환경에 따라서 지배적으로 일어하는 화학반응이 달라질 수 있습니다. 이때 가장 중요한 반응환경은 기판의 가열온도입니다. 이와 같이 화학반응을 제어하는 인자로서 기판의 온도를 이용하는 것이 Thermal CVD입니다. 대부분의 경우 700~1200℃정도의 대단히 높은 온도를 필요로 하므로 그 기구 적으로 높은 열의 온도를 발생 할 수 있는 reactor 즉 quartz로 이루어진 반응로와 상기의 고온을 발생할 수 있는 전기로를 기본 구성파트로 합니다. 또한 증착하고자 하는 박막의 종류에 따른 gas 주입을 위한 gas controller부가 상기 thermal CVD의 전체적인 구성 시스템이라 할 수 있습니다. |
