12인치 마스크 얼라이너 및 노광 시스템
기관명 | ZEUS |
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장비번호 | |
제작사 | 마이다스시스템 |
모델명 | MDA-12SA |
장비사양 | |
취득일자 | 2011-12-28 |
취득금액 |
보유기관명 | 한국전기연구원 |
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보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C501 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 본 장비는 12x12인치의 사격형 기판의 패턴 정렬 및 1um급 패턴 형성이 가능한 마스크 정렬-노광장치로 웨이퍼 또는 다양한 시료 위에 Photoresist를 도포한 후 패턴의 원판 역할을 하는 mask를 이용하여 선택적으로 자외선을 투과시킴으로써 photoresist에 광반응을 일으켜 미세 패턴을 구현하도록 한 장비이다. 또한 반도체 공정은 다층의 패턴을 형성하는 공정으로 이루어지므로 본 장비는 정밀한 패턴간의 정렬을 할 수 있도록 구성되었다.- 사용 기판: 12x12인치 - 사용 마스크: 14x14인치 - 최소 패턴 크기: 1um - 정렬 정밀도: 1um - 자외선 대역: Broadband - 광량: 최대 20mW/cm2 - 광량 균일도: 5% 이내 - 사용 모드: Soft contact Hard contact Vacuum contact(6인치 웨이퍼에 한정) Proximity |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201203/.thumb/20120320094938.jpg |
장비위치주소 | 경기 안산시 상록구 사동 1271-19 한국전기연구원 안산분원 제1연구동 1층 114 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2012-03-155939 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0031407 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
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ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |