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장비 및 시설 기본정보
반도체 파라메터 분석기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 스타테크놀로지스 |
| 모델명 | Agilent 4155C |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2004-05-19 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국전자통신연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 특징 반도체 소자의 작동 특성을 파악하기 위하여 측정에 필요한 전압 전류를 공급해 줄 수 있고 그 결과로 소자에서 나오는 전기신호를 검출 할 수 있다. 본 장비는 트랜지스터 다이오드와 같은 반도체 소자의 특성을 평가하거나 전자 소재의 전기적인 특성을 파악하는 가장 일반적인 계측 장 비 중의 하나이다. 구성및성능 four built-in medium-power source /monitor units (MPSMUs) two voltage source units (VSUs) and two voltage monitor units (VMUs)- SUM Measurement Range : Voltage : 2 μV/200 V Current : 10 fA/1 A* - SMU Measurement Resolution : Voltage : 2 μV Current : 10 fA - SMU Measurement Accuracy : Voltage : 700 μV Current : 3 pA SMU pulse width : 500 μs/100 ms - VMU : Resolution : 2 μV Accuracy : 200 μ V - VMU (differential) : Resolution : 0.2 μV Accuracy : 10 μV - Dual High Voltage Pulse Generator : Voltage range : +/- 40V output current : +/- 200 mA Minimum pulse width : 1 μs Minimum pulse period : 2 μs - Agilent Model Number 4156C : SMU Measurement Range Voltage : 2 μV/200 V* Current : 1 fA/1 A* - VMU : Resolution : 2 μV Accuracy : 200 μV - VMU (differential) : Resolution : 0.2 μV Accuracy : 10 μV - Deal High Voltage Pulse Genrator : Voltage range : +/- 40V Output current : +/- 200 mA Minumum pulse width : 1 μ sm Minimum period : 2 μs 활용분야 - Automates device characterization with integrated pulse generators and selector switches - Evaluates materials with measurements to 10 fA and 0.2 uV - Preforms quasi-static capacitance measurnments versus voltage measurements |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201309/.thumb/20130913141718492.jpg |
| 장비위치주소 | 바이오센서팀 실험실 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2005-12-043841 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0046230 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |