| 시설장비 설명 |
과제명: 이차원전자계 기반 스핀 FET 소자기술 개발 주관기관명:한국과학기술연구원 연구책임자:한석희 과제번호:2E19610(3010101) / kist 기관고유과제 *나노 초 대역의 펄스를 공급하는 장치로 스펙은 아래와 같다. (1)Amplitude into 50 O [2] +50 V, (±2 V) to 4.5 mV -45 V (±3 V) to -4 mV adjustable in 1 dB steps (2)Polarity Positive or negative (3)Baseline Adjustable from -5 V to +5 V (4)Risetime leading edge (10% - 90%) 3 ns ±2% for negative pulse (10)Spurious Pulse at 120 ns +6% duration < 20 ns +30% duration = 100 ns (11)Source Impedance 50 O, nominal (12)Reflection Coefficient -30% during pulse +50% after pulse, improves with increasing attenuation |
