원자층 증착 시스템
기관명 | ZEUS |
---|---|
장비번호 | |
제작사 | Sn Tech |
모델명 | ALD system |
장비사양 | |
취득일자 | 2009-07-30 |
취득금액 |
보유기관명 | 인하대학교 |
---|---|
보유기관코드 | |
활용범위 | |
활용상태 | |
표준코드 | C509 |
표준분류명 | |
시설장비 설명 | 다양한 박막소스를 기체상으로 흘려주고 실리카 웨이퍼 위에 증착시키는 장비이다. 기체상으로 흘려주기 때문에 분자단위의 박막증착이 되고 증착하는 시간에 따라 박막의 두께를 조절할 수 있다. - 박막 증착 - 여러 가지 소스를 통한 다양한 고품질의 나노박막의 형성이 가능- Main Processing Vacuum Chamber - High Pumping Speed & Characterized Pumping Channel - 4”Wafer Process - Substrate Temperature : Max. 600℃ - React Gas Supply Unit using MFC Pneumatic Vavle - Thermal Bath with Controller - Characterized Gas Nozzle & Gas Line with Heating & Controller - PLC Based Touch Panel Control - Semi Auto Control with Processing Recipe - 조작이 용이 내부 잠금 설치가 우수- 다양한 소스를 이용한 시편 위에 박막 증착 가능하다. - 소스를 바꿔가며 순차적인 박막 증착에 의한 박막의 PN 접합 가능하다. - 나노와이어 소스를 사용한 코팅 및 표면의 기능화 |
장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201111/.thumb/20111101153257.JPG |
장비위치주소 | 인천 남구 용현1,4동 인하대학교 253 인하대학교 5호관 3층 5서363호 |
NFEC 등록번호 | NFEC-2010-07-081077 |
예약방법 | |
카타로그 URL | |
메뉴얼 URL | |
원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0018770 |
첨부파일 |
과학기술표준분류 | |
---|---|
ICT 기술분류 | |
주제어 (키워드) |