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장비 및 시설 기본정보
원자층 증착기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | 아이피에스 |
| 모델명 | Nano ALD2000 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2005-01-01 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 나노종합기술원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C508 |
| 표준분류명 | |
| 시설장비 설명 | 불활성기체인 아르곤 가스를 이용하여 전구체를 반응로내부로공급하고 아르곤 가스를 흘려여분의 전구체를 없애 주어한 개 원자층이 형성되도록 한후 산화제를 공급하고 아르곤가스로 여분의 산화제를 제거함으로써 한층의 산화막을 형성시킨다. 1. Al2O3 - 조건 : 450 deg 1 Torr TMA & O3 Gas - Step coverage at aspect ratio (15:1) : 98% - Contamination level : ＜5E10 atoms/㎠ 2. HfO2 - 조건 : 300deg 1Torr TEMA & O3 Gas - Step coverage at aspect ratio (15:1) : 80% - Contamination level : ＜5E10 atoms/㎠ - Insulator Oxide - Capacitor - GAte Oxide - Gate dielectric * 주시험분야 일괄공정 |
| 장비이미지코드 | http://nfec.ntis.go.kr/storage/images/equip/photo/201405/.thumb/20140512174158817.JPG |
| 장비위치주소 | 대전 유성구 어은동 대전 유성구 대학로 291 (어은동 53-3) 카이스트 부설 나노종합기술원 나노종합기술원 1층 FAB |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2007-11-047779 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/equip/read?equipId=Z-NTIS-0007449 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |