| 시설장비 설명 |
● RF induces electric field in Coil / RF는 코일에 전기장을 유도하는 역할을 함 ● Perpendicular B field confines plasma / 수직의 B field에 Plasma를 생성함 ● High plasma density at low pressure / 낮은 압력에서 고밀도 Plasma를 생성함 ● Plasma density controlled by coil RF/ Coil RF에 의해서 Plasma 밀도를 조정함 ● Ion energy controlled by independent bias of the wafer/ Platen bias에 의해서 Ion energy 조절 가능함 SPTS Process Overview ● Bosch process을 기반으로 DSi application을 SF6와 C4F8의 조합하여 빠른 Switching process가 가능합니다. ● DSi module은 특허 받은 MORI plasma source를 이용 High source power, High gas flow, High pressure 가 가능하며 주요 Gas chemistry로는 SF6/C4F8을 사용합니다. ● 공정의 안정측면에서 ESC는 독특하게 개발이 되어서, 즉 Ceramic의 두께가 타사보다 두꺼워서, Dirty process의 특성상 챔버의 상태를 청결하게 하는데 필요한 Cleaning시 Wafer가 없는 상태로 충분한 Plasma Cleaning을 할 수 있는 장점이 있습니다. |
