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장비 및 시설 기본정보
웨이퍼증착적층기
장비 개요
| 기관명 | ZEUS |
|---|---|
| 장비번호 | |
| 제작사 | Centrotherm |
| 모델명 | cLABE2000-320-42 |
| 장비사양 | |
| 취득일자 | 2017-10-27 |
| 취득금액 |
보유기관 및 이용정보
| 보유기관명 | 한국에너지기술연구원 |
|---|---|
| 보유기관코드 | |
| 활용범위 | |
| 활용상태 | |
| 표준코드 | C509 |
| 표준분류명 | 시험 |
| 시설장비 설명 | ○ 해당 장비는 결정질 실리콘 태양전지의 핵심 공정인 p-n접합 형성과 반사방지막 공정을 지원하는 것으로 고효율·고품질 결정질 실리콘 태양전지 제조를 위한 핵심 장비임. ○ POCl3 소스를 이용한 고면저항 형성이 가능하며, 반사방지막을 위해서 실리콘 질화막뿐만 아니라 SiON 증착도 가능하여 태양전지 제조를 위한 원천기술 확보 및 고효율 태양전지 제조가 가능하도록 함. |
| 장비이미지코드 | http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201710/2017103017550211.jpg |
| 장비위치주소 | 고층고실험동 |
| NFEC 등록번호 | NFEC-2017-11-240588 |
| 예약방법 | |
| 카타로그 URL | |
| 메뉴얼 URL | |
| 원문 URL | http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-201712263027 |
| 첨부파일 |
추가정보
| 과학기술표준분류 | |
|---|---|
| ICT 기술분류 | |
| 주제어 (키워드) |