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플라즈마 화학 기상 증착기

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보유기관명	한국과학기술연구원 마이크로나노팹센터
보유기관코드
활용범위
활용상태
표준코드	C507
표준분류명
시설장비 설명	특징 반도체 혹은MEMS/NEMS 공정용 박막(실리콘 산화막(SiO2) , 실리콘 질화막 (SiN))을 기체 상태의 반응물들을 반응시켜서 수백 나노미터에서 수 마이크로미터 범위에서 웨이퍼 위에 형성되도록 하는 장비임. 반응물 기체를 아르곤 플라즈마를 통과시켜서 화학 활성을 증진시킴으로써 낮은 온도에서 화학반응이 일어나는게 가능하게 하는 것이PECVD의 대표적인 특징이고 장점임. 온도에 민감한 금속 구조물의 층간 절연층으로 사용되거나 응용 분야에 따라서 소자가 액체 혹은 습도가 높은 환경에 노출 되어야 하는 소자의 신뢰성을 확보하기 위하여 소자 특성 보호막으로 사용되는 막을 저온에서 증착하는 장비이고 저온에서 증착이 가능하기 때문에 소자의 생산에 있어서 발생되는 결함이 적어짐으로 널리 사용되고 있음.
장비이미지코드	http://www.zeus.go.kr/storage/images//equip/photo/201110/20111013130730.jpg
장비위치주소	한국과학기술연구원 L6
NFEC 등록번호	NFEC-2007-07-051906
예약방법
카타로그 URL
메뉴얼 URL
원문 URL	http://www.zeus.go.kr/resv/equip/read/Z-KIST_Fab-00016
첨부파일

기업조회