| 시설장비 설명 |
■ 2세대 고온초전도선 제조 연구를 위한 장비이다. ■ 고온초전도선의 안정화 구조를 제안하고 이를 구현하기 위한 다양한 안정화 증착 물질을 증착할 수 있다. ■ 퀜치로부터 안정성을 확보할 수 있는 Ag Cu Al등과 같은 금속 안정화층을 진공 증착 방법으로 증착할 수 있다. ■ 사각 챔버에 2인치 스퍼터 건과 고진공 배기 및 가스 분압 제어를 위한 각종 진공 장치를 설치되어 있고 이 모든 것을 제어할 수 있도록 메인 제어 장치를 추가하여 고온초전도선의 안정화층 증착이 가능하다. ■ 진공 배기 모듈은 roughing pump와 TMP pump로 고진공 환경을 만든다. 진공 배기 라인을 통해 연결되며 진공도는 convectron qauge와 ion gauge를 통해 확인할 수 있다. 또한 분압 제어 장치에 의해 baratron qauge의 진공도를 throttle value를 이용하여 안정적인 가스 분압을 유지할 수 있다. ■ 챔버의 프레임은 알루미늄 프로파일로 구성되어 있다. ■ 진공 및 전기적인 메인 제어 장치들은 메인 제어 rack으로 구성되어 있다. ■ 전원과 전원 제어 스위치 및 전기 장치 분압 제어 장치들이 하나의 rack에서 조정된다. ■ 2인치 마그네트론 스퍼터 건과 DC 전원 장치를 통해 안정화 물질인 Ag Cu Al 등의 전도성 물질을 박막으로 증착 가능하다. ■ 필요에 따라 전자빔 열처리 장치가 장착될 수 있도록 공간 확보와 플랜지가 구비되어 있다. |
