| 시설장비 설명 |
수은은 대부분의 고체를 젖게 하지 않는 물질이므로 이를 이용하여 압력을 가해 고체의 기공에 침투시켜 Washburn Equation에 의해 기공의 특성을 구할 수 있다. 수은침투법은 주로 10nm이상의 macropore의 기공율측정에 이용된다. *원리 외력(Fext)- 단위면적당 힘(P)과 가교면적의 곱으로 표현되어 Fext=π D2/4 X P 내력(Fint)- 평형을 유지하기 위해 외력과 크기는 같고 방향이 반대인 힘이 작용 기공의 원둘레(π D)에 가해지고 기공과 수은간의 접촉각(cosθ)과 수은의 표면장력(τ )의 곱으로 πDτcosθ 로 표현되며 평형상태에서는 Fext 과 F int는 같으므로 π D2/4 X P = πDτcosθ에서 Washburn Equation로 알려져 있는 D = -4τcos θ/P이 된다. 이 식에서 표면장력을 485 dyne/cm 접촉각을 130라 하면 장치의 최대압력인 60000psia(414 MPa)까지 압력을 높이면 3nm의 기공에도 수은의 침투가 가능하게 된다. |
