| 시설장비 설명 |
원자층 증착 (Atomic layer deposition (ALD)) 방식은 표면에서 분자의 흡착과 치환을 번갈아 진행함으로 원자층 두께의 초미세 층간 (layer-by-layer) 증착이 가능하고 산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있으며 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착시키는 화학 기상 증착(CVD)보다 낮은 온도(500도 이하)에서 막질을 형성할 수 있어 시스템온칩(SoC) 제조에 적합하다. 특히 박막의 uniformatiy 와 comformity 가 매우 우수한 고품질의 얇은 박막 형성에 유용하다. 이러한 원자층 증착방식을 선구물질의 선택에 따라 분자층 증착 (Molecular layer deposition (MLD))에 확장 이용할 것이며 유기 전자소자 에서의 유무기 계면 조작과 분자층 증착 제어에 응용할 것이다. ALD/MLD 혼합 증착방식을 이용하여 유무기 나노 적층구조를 구현하고 다양한 기능성 신물질의 개발 및 합성에 응용 할 것이며 이를 위해서는 다양한 선구물질의 표면 화학반응 분석과 최적의 증착 조건 제어를 위해서 박막 증착의 실시간 monitoring을 위한 Quartz crystal monitor가 필요하다. 원자 및 분자 층 증착을 이용한 복합 다층구조 소자 개발에는 순도 높은 박막 증착과 in-situ encapsulation을 위해서 plasma source 기능이 필수적이다. 또한 표면에서의 자가 제한적 (self-limiting) 증착 방식의 특성으로 인하여 기능성 유무기 신물질 합성과 전자소자의 복합 다층구조의 구현뿐만 아니라 마이크로(micro) 또는 나노(nano) 구조체의 모양에 따른 high-aspect ratio 표면 증착에 유용하며 다양한 소재 및 소자의 기능성 표면코팅 처리에 이용할 것이다. |
